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V25-850C系列 高速VCSEL芯片

该芯片设计了GaAs基垂直腔面,有多个发射通道,很高的传输速率,高稳定性,且VCSEL单独使用接地源(GS)微探针、导线键合或倒装芯片键合在顶面上接触。所以该芯片可作为工程样品用于开发和评估光互连、光 背板和集成波导。

芯片尺寸图

产品特点

1. 多达12个并行通道

2. 每个通道高达28 Gbit/s

3. 高温稳定性

4. 装置对装置间距250微米

产品参数

Parameter Typical
Emission wavelength 850nm(available 835-865nm)
Data rate Up to 28 Gbit/s
Threshold current < 1 mA
Peak output power 4 mW

电光特性

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Emission wavelength λ 835 865 nm
Maximum data rate Gbps NRZ 25 28 Gbit/s
Bandwidth BW f(3dB) 15GHz at 85°C 18 GHz
Threshold current I(th) I(op) = 5mA 0.4 0.5 1 mA
Operating current V(op) I(op) = 5mA 2.3 2.5 2.7 V
Slope efficiency η I(op) = 5mA 0.3 0.45 W/A
Differential resistance Rd I(op) = 5mA 65 75 85
Optical output power P(op) 1.5 2.5 4 mW
Beam divergence θ FWHM 18 20 25 deg
Spectral bandwidth (RMS) ∆λRMS I(op)= 5mA 0.4 0.6 nm
Rise / Fall time τR / τF 20%-80% 16 20 ps
Relative intensity noise RIN -128 dB/Hz
Wavelength tuning over current 0.3 nm/mA
Wavelength tuning over temp 0.07 nm/K
Thermal impedance Z(Thermal) 2 °C/mW