VM50-850C系列 高速VCSEL芯片

该芯片设计了紧凑的、高调制率的顶发射GaAs基垂直腔 ，所以该发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程应用光学互连开发和评估用样品 背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。另外VCSEL通过接地源在顶面单独接触（GS）微探针、线键或倒装芯片键。

芯片尺寸图

产品特点

1. 多达12个并行通道

2. 每个信道最高26.5 Gbd/s PAM-4

3. 高温稳定性

4. 装置对装置间距250微米

5. 适用于金属丝或倒装焊

产品参数

Parameter	Typical	Notes
Emission wavelength	850nm
Data rate	Up to 26.5Gbd/s	PAM-4
Threshold current	< 0.5 mA
Threshold current	4 mW

电光特性

Parameter	Symbol	Test Condition	Min	Typ	Max	Unit
Emission wavelength	λ		835		865	nm
Maximum data rate	BR	PAM-4		26.5	28	Gbd/s
Bandwidth	Symbol	BW (f3dB)		21		GHz
Rise / Fall time	τR / τF	20%-80%		12/12		ps
Threshold current	η	5-10mA	0.3		0.45	W/A
Slope efficiency	Ith				0.5	mA
Differential resistance	Rd	5-10mA		80	120	Ω
Capacitance	C			300		fF
Beam divergence	θ	FWHM		20		。
Peak output power	Pmax				4	mW
Threshold uniformity	∆Ith			0.1		mA
Slope efficiency uniformity	∆η			0.1		W/A
Slope efficiency variation	∆ηT			≤-0.5		%/K
Thermal resistance	Rthermal			2		°C/mW
Optical spectrum				Multi mode
Spectral bandwidth (RMS)	∆λRMS		0.2	0.4	0.6	nm