D30-850C型 高速VCSEL芯片

该芯片设计的GaAs是基于pin来实现其光电探测功能的，所以可用于激光器的开发和评估以及下一代数据通信系统。芯片在850nm处的响应度大于0.4a/W。PDs可用于单个芯片或作为线性阵列（4-ch，12-ch），允许与单模光纤或多模光纤对齐。另外芯片可以是线键合或倒装芯片螺柱键合。

芯片尺寸图

产品特点

1. 单芯片或4/12通道阵列

2. 每个通道高达40 Gbit/s

3. 高温稳定性

4. 线性阵列距离250微米

产品参数

Parameter	Typical
Operating Wavelength	700-890nm
Data Rate	up 40 Gbit/s per channel
Responsivity	0.4 W/A
Small Signal -3dB Bandwidth	30 GHz

电光特性

Parameter	Symbol	Condition	Min	Typ	Max	Unit
Data bit rate	BR				40	Gbit/s
Small signal -3dB bandwidth	BW(f3db)	V(bias)=-2V		30		GHz
Operating Wavelength	λ		700	850	890	nm
Rise / Fall time	τR / τF	20%-80%		9		ps
Responsivity	R			0.4		A/W
Capacitance	C				80	fF
Differential resistance	Rd	5-10mA		80	120	Ω
Capacitance	C			300		fF
Dark current	I(D)	V(bias)=-5v		≤ 1		nA