V25-850C系列 高速VCSEL芯片

该芯片设计了GaAs基垂直腔面，有多个发射通道，很高的传输速率，高稳定性，且VCSEL单独使用接地源（GS）微探针、导线键合或倒装芯片键合在顶面上接触。所以该芯片可作为工程样品用于开发和评估光互连、光 背板和集成波导。

芯片尺寸图

产品特点

1. 多达12个并行通道

2. 每个通道高达28 Gbit/s

3. 高温稳定性

4. 装置对装置间距250微米

产品参数

Parameter	Typical
Emission wavelength	850nm(available 835-865nm)
Data rate	Up to 28 Gbit/s
Threshold current	< 1 mA
Peak output power	4 mW

电光特性

Parameter	Symbol	Test Condition	Min	Typ	Max	Unit
Emission wavelength	λ		835		865	nm
Maximum data rate	Gbps	NRZ		25	28	Gbit/s
Bandwidth	BW	f(3dB)	15GHz at 85°C	18		GHz
Threshold current	I(th)	I(op) = 5mA	0.4	0.5	1	mA
Operating current	V(op)	I(op) = 5mA	2.3	2.5	2.7	V
Slope efficiency	η	I(op) = 5mA	0.3		0.45	W/A
Differential resistance	Rd	I(op) = 5mA	65	75	85	Ω
Optical output power	P(op)		1.5	2.5	4	mW
Beam divergence	θ	FWHM	18	20	25	deg
Spectral bandwidth (RMS)	∆λRMS	I(op)= 5mA		0.4	0.6	nm
Rise / Fall time	τR / τF	20%-80%		16	20	ps
Relative intensity noise	RIN			-128		dB/Hz
Wavelength tuning over current				0.3		nm/mA
Wavelength tuning over temp				0.07		nm/K
Thermal impedance	Z(Thermal)			2		°C/mW